据2016年9月22日中国发明专利公报，茂达电子股份有限公司 《具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。
本发明公开了一种功率半导体器件，包含有一具有第一导电型的半导体基底；一外延层，位于所述半导体基底上；一具有第二导电型离子阱，位于所述外延层中，其中所述离子阱具有一接面深度；一栅极沟槽，位于所述外延层中，且所述栅极沟槽的深度大于所述接面深度；一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽表面；一栅极，位于所述栅极沟槽内；以及一具有所述第二导电型的袋形掺杂区，位于所述外延层中且紧邻并至少覆盖所述栅极沟槽的转角部分。
新创友，发明专利代理专家，
电话：0755-88858101 /83671888
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