据2016年8月25日中国发明专利公报，南亚科技股份有限公司 《穿硅通孔及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。
本发明公开了一种穿硅通孔结构，包含有一半导体基材；一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层；一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内；一钨金属膜，盖住该导电层的一上表面；一第二金属层间介电层，覆盖该上盖层以及该钨金属膜；以及一内连件，设于该第二金属层间介电层中。
新创友，发明专利代理专家，
电话：0755-88858101 /83671888
传真：0755-83671968
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