据2016年3月31日中国发明专利公报，南亚科技股份有限公司 《穿硅通孔结构及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。
本发明公开了一种穿硅通孔结构，包括一半导体基底，其中设有至少一导通孔；一导体材料层，填入该导通孔中；以及一空气胞，设于该半导体基底，并靠近该导体材料。由于空气胞中的空气，其介电常数为1，故此结构能够有效降低穿硅通孔之间的寄生电容，并提升半导体器件的运作效能。
新创友，发明专利代理专家，
电话：0755-88858101 /83671888
传真：0755-83671968
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