据2016年1月13日中国发明专利公报,南亚科技股份有限公司《具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法》由新创友代理成功获得发明专利权。
本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构,包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面,两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构,设置在基底第一表面的一侧,应力保护结构包围应力产生元件,且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。
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