据2015年7月1日中国发明专利公报,南亚科技股份有限公司《凸出結構與形成凸出結構的方法》由新创友代理成功获得发明专利权。
本发明公开了一种形成在基材上,具有小于传统光刻技术的极小尺寸的立方体凸出结构的方法。首先,提供一基材,与位于基材上的多个倾斜结构。多个倾斜结构包含一第一材料,并且彼此相隔一预定距离。其次,形成包含第二材料的目标层,以覆盖基材与倾斜结构,而且第一材料与第二材料各不相同。然后,进行一刻蚀步骤,以部分移除目标层,而暴露出倾斜结构。再来,进行一修整步骤,以完全移除倾斜结构并部分移除目标层,而形成凸出物。凸出物具有一圆角、一垂直侧壁、一凸出宽度与一凸出长度的一凸出物,其中目标层较倾斜结构更容易在刻蚀步骤中被刻蚀,而且凸出宽度与凸出长度其中的至少一者不大于33 nm。
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