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北京大学深圳研究生院《一种超结绝缘栅双极型晶体管》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年2月25日中国发明专利公报,北京大学深圳研究生院《一种超结绝缘栅双极型晶体管》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区,有源区包括P阱体区,P+阱区和N+阱区;P型衬底下端设置有电极,作为集电极引出;P型衬底上端为N型基区,N型基区内部一侧设置有P柱,P柱上方设置有源区,有源区上方设置有电极,作为发射极引出;N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层,栅氧化层上端设置有多晶硅栅,多晶硅栅上方设置有电极,作为栅极引出;P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区,P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区,掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJ IGBT结构的改进,增加了器件的耐压,器件具有较低的导通电压,同时提升了器件关断速度。

    本发明与现有技术对比的有益效果是:本发明的超结绝缘栅双极型晶体管,根据实验测试数据可知,集电极端处的空穴电流密度相比传统的SJ IGBT的空穴电流密度要小,因此本发明的超结绝缘栅双极型晶体管中N型基区PNP管(即集电极-N型基区-P阱)的发射极电流相对降低,进一步的器件电导调制效应降低,器件能够承受的耐压升高。根据器件的IV特性曲线,可知本发明的SJ IGBT具有较低的导通电压,且较快速的关断速度,有效降低了关断损耗。本发明的SJ IGBT为需要使用高耐压和快速关断IGBT的情况提供了更好的选择。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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