据2016年1月6日中国发明专利公报,南亚科技股份有限公司《片状凹形沟道栅电极及其形成方法》由新创友代理成功获得发明专利权。
本发明公开了一种片状凹形沟道栅电极,包括基材、栅极介电层、第一导电层与第二导电层。基材具有第一沟渠,栅极介电层位于第一沟渠的表面,而第一导电层嵌入第一沟渠中。第二导电层位于第一导电层上,并与第一导电层在主表面上对齐,其中第二导电层底部表面积实质上小于第二导电层的顶部表面积。本发明还提供了一个形成片状凹形沟道栅电极的方法。
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